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易转移:聚合物薄膜上的单层石墨烯

很容易转移允许你:

  • 接收高质量的石墨烯,并随时沉积在选定的衬底上
  • 试验任何新颖的衬底,保持项目内部和加速研究
  • 避免金属腐蚀和危险的化学腐蚀-底层已被移除
  • 从实惠的1 × 1厘米单位或1 × 1英寸单位选择

    石墨烯膜规格

    • 生长方法:CVD合成
    • 外观(颜色):透明
    • 透明度:> 97%
    • 外观(形式):电影
    • 报道:> 95%
    • 石墨烯层数:1
    • 厚度(理论):0.345 nm
    • Al上FET的电子迁移率2O3.: 2000厘米2/ Vs
    • SiO上的FET电子迁移率2/ Si: 4000厘米2/ Vs
    • SiO上的薄片电阻2/Si: 450±40欧姆/平方(1cm x 1cm)
    • 粒度:可达10 μm

      转移过程

      如需更详细的转账说明,点击这里

      应用程序

      石墨烯研究,柔性电池,电子,航空航天工业,MEMS和NEMS,微致动器,导电涂层。

      出版物

      “基于单层石墨烯的超薄可充电全固态电池”,Mater. j。化学。A, 2013, 1,3177 -3181 doi:10.1039/ c3ta01183f

      锂离子电池用单层和多层石墨烯阳极的制备和电化学表征,J.电化学。Soc. 2012, vol. 159, issue . 6, A752 - A761

      “铜箔上高质量均匀石墨烯薄膜的大面积合成”,《科学》2009年6月5日,第324期。5932年,页1312 - 1314;doi: 10.1126 / science.1171245

      格拉汉姆·古德费勒还提供广泛的衬底以及其他石墨烯产品:

          的更多信息关于很容易转移以及从Goodfellow到电子邮件的所有2D产品info@goodfellow.com